內(nèi)地氮化鎵半導(dǎo)體廠商英諾賽科(02577.HK)今日起招股，擬全球發(fā)售4536.4萬(wàn)股，其中香港公開(kāi)發(fā)售佔(zhàn)10%，設(shè)15%超額配股權(quán)。招股下周一截止，料12月30日上市。招股價(jià)範(fàn)圍在30.86元至33.66元，每手100股，入場(chǎng)費(fèi)3399.95元，料最多集資15.27億元。
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體代表性材料，憑藉高頻、耐高壓、抗輻射、高電子遷移率等優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車及數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電站及電網(wǎng)等下游市場(chǎng)展現(xiàn)廣闊的應(yīng)用潛力。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，2023年，氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)啟了指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的元年，預(yù)計(jì)市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)。到2028年，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到人民幣501億元，在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的市佔(zhàn)率提升至10.1%，並佔(zhàn)全球功率半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)的24.9%，為行業(yè)參與者帶來(lái)前所未有的機(jī)遇。
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